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CY670A-CU
Cryogenic Temperature Sensors - Silicon Diodes
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Spécifications du produit
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Accuracy Band Availability | 1, 2, 3, 4 |
Band Type | Band A |
Current, Max Note | 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed |
Mounting | Small Copper bobbin |
Output Signal | Voltage |
Process Temperature, Max | 226.85 °C |
Process Temperature, Min | -271.8 °C |
Recommended Excitation | 10 µA, ± 0.1% |
Repeatability | ± 10 mK @ 4.2 K |
Reverse Voltage | 60 V |
Sensor Diameter | 7.95 mm |
Sensor Height | 4.343 mm |
Sensor Inner Dia | 2.946 mm |
Sensor Threads | N/A |
Supply Power Effects | 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K |
Temperature Sensor Type | Silicon Diode |
Thermal Response Time | SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K |
Use in Magnetic Field Note | Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K |
Use in Radiation Note | Recommended for use only in low level radiation |
Wire Gauge | 36 AWG |
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