Bienvenue sur notre nouveau site Web, vous avez rencontré un problème ou un bug? Veuillez le signaler ici
CY670A-ET
Cryogenic Temperature Sensors - Silicon Diodes
Remises de volume disponibles
Calendrier de remise sur volume
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1-4 | C$2,403.49 |
| 5-9 | C$2,283.32 |
| 10-24 | C$2,235.25 |
| 25-49 | C$2,139.11 |
| 50-99 | C$2,091.04 |
| 100+ | C$2,042.97 |
Ajouté à votre panier
Configuration terminée.
Veuillez ajouter au panier pour la conserver ou quitter la configuration
Veuillez ajouter au panier pour la conserver ou quitter la configuration
Échec de l'enregistrement des configurations, cliquez sur le bouton Configurer Recommencer
Spécifications du produit
<< Voir toutes les modèles de produits| Brand |
 |
| Accuracy Band Availability | 1, 2, 3, 4 |
| Band Type | Band A |
| Current, Max Note | 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed |
| Mounting | Screw in |
| Number of Wires | 2 |
| Output Signal | Voltage |
| Process Temperature, Max | 226.85 °C |
| Process Temperature, Min | -271.8 °C |
| Recommended Excitation | 10 µA, ± 0.1% |
| Repeatability | ± 10 mK @ 4.2 K |
| Reverse Voltage | 60 V |
| Sensor Height | 5.556 mm |
| Sensor Threads | 6-32 |
| Sensor Width | 6.096 mm |
| Supply Power Effects | 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K |
| Temperature Sensor Type | Silicon Diode |
| Thermal Response Time | SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K |
| Use in Magnetic Field Note | Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K |
| Use in Radiation Note | Recommended for use only in low level radiation |
| Wire Diameter | 0.38 mm |
| Wire Length | 19.304 mm |
| Voir toutes Spécs | |
Afficher les notes et les avis